FotonMag

Společnost IBeam Materials představila nové GaN FETs (Field-Effect Transistors) umístěné na tenké a flexibilní kovové fólii, které jsou rovnou integrovány vedle sebe s mikro LED zářiči, které již dříve demonstroval iBeam pro použití na displejích. Společnost odhaduje, že do roku 2022 by mohla být nová technologie dostupnou pro masivní  výrobu.

Příchod papírově tenkých a flexibilních mikro LED displejů eliminuje tradiční omezení týkající se podoby displejů. Nově se tak návrhářům otevírá nová kapitola, která mění vzhled zařízení a otevírá potenciál nové třídě mobilních světelných produktů. Micro LED vyrobené pomocí technologie iBeam se mohou zakřivit, ohnout a přizpůsobit se různým tvarům při radikální odchylce od tradičních rovinných tvarů. Mimo to Micro LED displeje nabízejí výrazně vyšší jas a mnohem vyšší účinnost než tradiční LCD nebo OLED displeje.

Masová výroba by mohla být, díky skokovému vývoji této technologie a novým poznatkům levnější a dostupnější než produkce dosavadních tradičních displejů.

Zdroj: ledinside.com