FotonMag

Německá společnost Osram dosáhla mimořádného výsledku u jejího nového tenkovrstvého infračerveného čipu, který dosáhl účinnosti až 72% při napájení proudem 100mA. Při napájecím proudu 1A dosahuje zářivý výkon čipu až hodnoty 930 mW což je o 25% vyšší zářivý výkon než u současné generace IR čipů na trhu.

Nový čip vyzařující světlo s vlnovou délkou 850 nm byl navržen pro aplikace v infračerveném osvětlení, speciálně pro úkoly sledovacích a bezpečnostních kamer nebo záchranných protihavarajních senzorů v automobilovém průmyslu.

Externí kvantová účinnost nového čipu, označována zkratkou (EQE), jinými slovy také pravděpodobnost vytvoření fotonu na elektron a jeho emise z LED čipu, dosahuje 67% a zůstavá nad 64% i při proudu 1A.

Dle vyjádření Markuse Brölla, projektového manažéra pro rozvoj IR čipů společnosti Osram, bude možné převést technologii zvyšující efektivnost i do jiných vlnových délek. To znamená, že bude možné v nedaleké budoucnosti vytvořit mimořádně účinná řešení pro infračervená světla, díky zmenšování a růstu účinnosti také budou klesat náklady na výrobu a jejich provoz.

Nový vysoce efektivní čip by se mohl dostat do sériové výroby v první polovině příštího roku.

Zdroj: osram-os.com